一、个人简介
王金斌，男，汉族，1972年9月生，中共党员，湖南武冈人，理学博士，二级教授、博导，教育部新世纪人才、湖南省芙蓉学者特聘教授、省政府特殊津贴专家、湖南省杰青、国家地方联合工程实验室主任。中国科学院院士候选人、国家科技奖、国家自然科学基金、教育部博士点基金、博士后基金等评审专家；教育部科技服务委员会委员、航天材料空间环境测试与试验标准化技术委员会副主任委员、中国仪表功能材料学会常务理事、中国核学会辐射物理分会常务理事、国家原子能机构抗辐照中心理事、《无机材料学报》编委。在Nature Communications等重要刊物发表论文200余篇，被Science等刊物论文他引5000余次。授权国家发明专利30余项。先后获得国家级教学成果二等奖、湖南省自然科学一等奖、湖南省青年科技奖等奖励。
二、学习工作经历
学习经历：
2002/03 - 2005/03，中国科学院上海技术物理研究所，微电子学与固体电子学专业，博士，导师：陆卫研究员
1997/09 - 2000/06，湘潭大学，凝聚态物理专业，硕士，导师：杨国伟教授
1992/09 - 1996/06，湘潭大学，物理学专业，学士
工作经历：
2007/12 - 至今，湘潭大学，教授
2013/09 - 2015/02，美国内布拉斯加-林肯大学(University of Nebraska- Lincoln)，访问学者
2010/01 - 2010/02，日本东京工业大学(Tokyo Institute of Technology)，Global COE教授
2006/05 - 2007/05，日本国立材料研究所(National Institute for Materials Science)，访问学者
2004/07 - 2007/11，湘潭大学，副教授
2000/07 –2004/06，湘潭大学，讲师
1996/06 - 2000/06，湘潭大学，助教
三、主讲课程
本科：固体物理导论、半导体物理、电子技术、光电子材料与器件、材料科学与工程专业导学
研究生：半导体器件物理
四、研究方向
先进信息材料与器件
先进能源材料与器件
薄膜与涂层材料
五、获奖情况
1.欧阳晓平、王金斌、林建国、孙立忠、马增胜、李江宇、刘金刚、杨雪娟、胡义伟、蒋文娟、钟向丽、唐明华、朱旺、齐福刚、张德闯，红色传承、需求引领、能力为本、多维评价：材料类研究生培养模式探索与实践，国家高等教育教学成果二等奖，中华人民共和国教育部，2023/07；
2.王金斌，湖南省政府特殊津贴专家，湖南省人力资源和社会保障厅，2017/11；
3.王金斌，中国电介质物理优秀青年奖，中国物理学会，2016/08；
4.周益春，王金斌，郑学军，钟向丽，唐明华，马颖，无铅铁电薄膜及其器件的失效与性能调制，湖南省自然科学一等奖，湖南省人民政府，2012/01；
5.王金斌，第八届湖南省青年科技奖，中共湖南省委组织部、湖南省人力资源和社会保障厅、湖南省科学技术协会，2011/11。
六、科研项目
1.铁电超畴柔性突触器件的高通量设计及宏微观关联机理研究，国家自然科学基金面上项目，52472139，主持；
2.二维MX铁电材料面内畴特性的光学二次谐波探测及极化调制研究，国家自然科学基金面上项目，51872251，主持；
3.六角LuFeO3外延薄膜中铁磁性能的声子调制与增强研究，国家自然科学基金面上项目，61574121，主持；
4.铁电薄膜的宽温域巨电热效应及其与畴变的关联研究，国家自然科学基金面上项目，11272274，主持；
5.电场非挥发性调制高温稀磁半导体/铁电体异质结构中的磁化行为研究，国家自然科学基金青年项目，50702048，主持；
6.新型电子信息薄膜及其器件研究，湖南省芙蓉学者计划项目，2011年-2015年，主持；
7.非挥发性晶体管用稀磁半导体/铁电体异质结的制备及磁化调制研究，湖南省杰出青年基金, 09JJ1006，主持；
8.大面积无铅铁电薄膜的制备及其应用研究，教育部“新世纪优秀人才支持计划”项目，NCET-08-0687，主持。
七、代表性论著
1.Revealing fast negative capacitancein PbZr0.2Ti0.8O3 thin film with acicular ferroelastic domains, Nano Letters 24, 40, 12426 (2024).
2.Tracking intrinsic ferroelectric switching under electric field via operando second harmonic generation, Applied Physics Letters, 124, 112901 (2024).
3.High-throughput screening thickness-dependent resistive switching in SrTiO3 thin films for robust electronic synapse, Advanced Functional Materials, 33, 2213874 (2023).
4.Self-recovery of a buckling BaTiO3 ferroelectric membrane, ACS Applied Materials & Interfaces, 15, 55984 (2023).
5.Crystallographically engineered hierarchical polydomain nanostructures in perovskite ferroelectric films, Acta Materialia, 171, 282e290 (2019).
6.Organic inorganic copper(II)-based material: a low-toxic, highly stable light absorber for photovoltaic application, The Journal of Physical Chemistry Letters, 8, 1804 (2017).
7.Switchable photoelectrochemical response controlled by ferroelectric polarization in (101)-oriented Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin film, Materials & Design, 129, 186 (2017).
8.Improved response/recovery time and sensitivity of SnSe nanosheet humidity sensor by LiCl incorporation, Advanced Electronic Materials, 6, 1901330 (2020).
9.High-fluence proton induced degradation on the AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors, IEEE Transactions on Nuclear Science, 67,1339, (2020).
10.Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Acta Materialia, 55, 183 (2007).
八、知识产权与成果转化
1.一种基于α-In2Se3二维纳米片的湿度传感器及其制备方法,专利号：ZL 202110126005.9，中国发明专利；
2.一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，ZL 201810986245.4，中国发明专利；
3.一种多孔发热膜及其制备方法，ZL 201611204686.1，中国发明专利；
4.一种光电功能材料及其应用，ZL 201611039255.4，中国发明专利；
5.一种基于导电丝和极化共控制的多值存储单元，ZL 201610223436.6，中国发明专利；
6.一种制备袖珍型多孔陶瓷基钛电热膜的方法，ZL 201610039516.6，中国发明专利；
7.一种SnO2基光阳极的表面修饰方法，ZL 201610039591.2，中国发明专利；
8.一种限制少、效率高、成本低的光催化涂层的制备工艺，ZL 2015102889448，中国发明专利；
9.一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，ZL 201510626699.7，中国发明专利；
10.一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的制备方法，ZL 2015102889700.X，中国发明专利。
